是一种综合了电力、压缩空气、冷却水、气浮高速主轴、精密机械传动、 传感器及自动化控制等技术的精密数控设备。在安装、调试、使用、保养、维修等操作之 前,必须确认下列安全信息、操作规程以及注意事项。一、设备的安装与调试1、划片机的四周必须保留不小于 0.5米 的无障碍空间,方便操作及维修人员 进行生产操作、保养和检修。2、划片机应安装在无明显震动、无腐蚀性气体、无强磁场的清洁室内。工作间 温度在 20~25...
半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节,在芯片制造过程中起着关键作用。半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。其中,基体材料主要用于制造硅晶圆或化合物半导体;制造材料主要是将硅晶圆或化合物半导体加工成芯片所需的各种材料;包装材料是包装和切割芯片时使用的材料。本文主要介绍了半导体制造和密封测试中涉及的主要半导体材料。基体材料根据芯片材料的不同,基体材料主要分为硅晶圆和化合物半导体,其中硅晶...
封装经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片(又称“单个晶片”)。下面要做的就是通过切割获得单独的芯片。刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号,需要单独进行处理。这一处理过程就是封装,包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。整个封装制程分为五步,即晶圆锯切、单个晶片附着、互连、成型和封装测试。1、晶圆锯切要想从晶圆上切出无数致密排列的芯片,我们首先要仔细“研磨”晶圆的...
测试测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准,从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外,经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤,有助于节省成本和时间。电子管芯分选 (EDS) 就是一种针对晶圆的测试方法。EDS是一种检验晶圆状态中各芯片的电气特性并由此提升半导体良率的工艺。EDS可分为五步,具体如下 :1、电气参数监控 (EPM)EPM是半导体芯片测试的第一步。该步骤将对半导体集成电路需要用到的每...
互连半导体的导电性处于导体与非导体(即绝缘体)之间,这种特性使我们能完全掌控电流。通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件,但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的发送与接收。金属因其具有导电性而被用于电路互连。用于半导体的金属需要满足以下条件:低电阻率:由于金属电路需要传递电流,因此其中的金属应具有较低的电阻。热化学稳定性:金属互连过程中金属材料的属性必须保持不变。高可靠性:随...
顾名思义,物理气相沉积是指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种物理气相沉积方法,其原理是通过氩等离子体的轰击让靶材的原子溅射出来并沉积在晶圆表面形成薄膜。
刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种,取决于所使用的物质:使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀,以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。1、湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势。然而,湿法刻蚀具有各向同性的特点,...
光刻光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上,我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高,成品芯片的集成度就越高,必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说,光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。1、涂覆光刻胶在晶圆上绘制电路的第一步是在氧化层上涂覆光刻胶。光刻胶通过改变化学性质的方式让晶圆成为“相纸”。晶圆表面的光刻胶层越薄,涂覆越均匀,可以印刷的图形就越精细。...
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